第343章 卡脖子技术 (第1/2页)
炊事员小肖提示您：看后求收藏（00小说网www.abantech.net），接着再看更方便。
网络舆情的事情章珊处理得太漂亮了，只是大家对于彭一高买歌，买剧本，出卖半导体技术给国外，打压国内同行事情并没有平息。
网络上出现了大量抵制高瑶时代，抵制合作友商华唯。
很显然这是有预谋的针对。
我觉得问题还是出在了打断了国外的垄断的光刻技术。
光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。
在半导体芯片制作过程中，首先采用IC版图设计软件，设计出IC制造工艺所需要的各个工艺层次的版 图，通过图形发生器(光学、 激光、电子束图形发生器等)制备出各工艺层次的光掩模版，然后采用光刻机把掩模版的图形照射到涂覆有光致抗蚀剂(光刻胶)的硅片表面，再进行曝光后光刻胶的显影等工序，在硅片表面形成可选择性刻蚀的膜层，最后通过刻蚀机把设计版图的数据转移到硅片表面的整个过程，称为光刻工艺。
目前蓝星最先进的光刻机是华夏的接近式光刻机，这种光刻技术中的掩膜版与晶圆表面光刻胶并未直接接触，留有被氮气填充的间隙。
优点是最小分辨尺寸与间隙成正比，间隙越小，分辨率越高。缺点是掩膜版和晶圆之间的间距会导致光产生衍射效应，因此接近式光刻机的空间分辨率极限约 为0.1μ m (蓝星数据、地球世界是2μm)，蓝星的半导体材料路线，从一开始就转向了化合物，而且蓝星世界材料的物理和化学特性远比地球世界材料优异, 0.18μ m的磷化铟芯片与地球世界32nm制程纯硅芯片表现相当。
蓝星世界的华夏，即便掌握了世界领先的接近式光刻技术，但是这种光刻技术已经接近曝光极限。0.18μ m 制程的磷化铟芯片(性 能表现相当于地球世界32nm制程纯硅芯片)生产工艺经过几次改良，良率仍然低于 60% (58.1%) ，生产成本居高不下，进一步开发微小尺寸半导体器件遇到了前所未有的瓶颈，需要开发全新的工艺来解决这个问题。
充分消化和理解地球世界半导体技术的彭一高，决定一步到位，直接开发浸润式光刻机。
这种光刻设备在掩膜版和光刻胶之间采用了具有缩小倍率的投影成像物镜，有效提高了分辨率。
采用动态扫描方式的步进扫描，掩膜版相对晶圆同步完成扫描运动，完成当前曝光后，至下一步扫描场位置，继续进行重复曝光，直到
更多内容加载中...请稍候...
本站只支持手机浏览器访问，若您看到此段落，代表章节内容加载失败，请关闭浏览器的阅读模式、畅读模式、小说模式，以及关闭广告屏蔽功能，或复制网址到其他浏览器阅读！
本章未完，请点击下一章继续阅读！若浏览器显示没有新章节了，请尝试点击右上角↗️或右下角↘️的菜单，退出阅读模式即可，谢谢！
